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GN6075E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
le GN6075E c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 75A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GN6075E
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:GT80J101
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GN6075E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GT80J101


SI N-IGBT transistor
similar to GN6075E, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 80/160A
Ptot 200W
TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
le GT80J101 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Type similaire: GT80J101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
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TJ 150°C
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IC DC/AC 80/160A
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TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
Type similaire: GT80J101
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.